چهارشنبه, ۱۹ اردیبهشت, ۱۴۰۳ / 8 May, 2024
مجله ویستا
عملکرد و مدل‌سازی ترانزیستور MOS
مترجم : فتحی‌پور - مرتضی
محل نشر : تهران
تاریخ نشر : ۱۳۷۸/۰۷/۲۷
رده دیویی : ۶۲۱.۳۸۱۵۲۲
قطع : وزیری
جلد : شومیز
تعداد صفحه : ۸۵۶
نوع اثر : ترجمه
زبان کتاب : انگلیسی
نوبت چاپ : ۱
تیراژ : ۱۰۰۰
شابک : ۹۶۴-۰۳-۴۱۲۶-۶
مخاطبان کتاب, ذیل ده فصل و سیزده ضمیمه با عملکرد و مدل سازی تزانزیستور ((MOS))آشنا می‌شوند .عناوین فصل‌های کتاب عبارت‌اند از :((نیمه هادی‌ها, اتصالات و پیوند ((PN, ((ساختار دو پایانه‌ای ((MOS, ((ساختار سه پایه‌ای ((MOS, ((ترانزیستورهای چهار پایانه‌ای ((MOS, ((آثار کانال کوتاه و کانال باریک)), ((ترانزیستورهای MOSدارای کانال کاشت یونی)), ((عملکرد پویای ترانزیستور ((MOS, ((مدل‌سازی سیگنال کوچک برای فرکانس‌های کم و متوسط)), ((مدل‌های فرکانس بالای سیگنال کوچک)) و ((ساخت تزانزیستورهای .((MOSضمایم کتاب نیز مقدمه‌ای است بر مفاهیم نوارهای انرژی, قوانین اساسی الکترواستاتیک و موضوعات عمومی مربوط به این مقوله .
نمایندگی زیمنس ایران فروش PLC S71200/300/400/1500 | درایو …
دریافت خدمات پرستاری در منزل
pameranian.com
پیچ و مهره پارس سهند
تعمیر جک پارکینگ
خرید بلیط هواپیما
ایران آمریکا دولت سیزدهم دولت رئیس جمهور سید ابراهیم رئیسی رافائل گروسی مجلس شورای اسلامی حجاب رهبر انقلاب انتخابات انتخابات مجلس
قتل هواشناسی تهران شهرداری تهران فضای مجازی پلیس بارش باران آموزش و پرورش وزارت بهداشت سلامت شهرداری قوه قضاییه
قیمت طلا خودرو قیمت دلار مالیات قیمت خودرو حقوق بازنشستگان مسکن بازار خودرو سایپا ایران خودرو بانک مرکزی بورس
نمایشگاه کتاب نمایشگاه کتاب تهران امیر تتلو تلویزیون جهان محمدمهدی اسماعیلی سینمای ایران سریال دفاع مقدس تئاتر سینما موسیقی
اینوتکس دانش بنیان دانشگاه آزاد اسلامی
رژیم صهیونیستی اسرائیل غزه فلسطین جنگ غزه رفح روسیه حمله به رفح چین ترکیه نوار غزه طوفان الاقصی
فوتبال پرسپولیس استقلال لیگ قهرمانان اروپا دورتموند لیگ برتر ذوب آهن نساجی لیگ برتر فوتبال ایران لیگ برتر ایران بازی رئال مادرید
تبلیغات اپل عیسی زارع پور اینترنت گوگل سامسونگ ناسا مایکروسافت آیفون آب ایلان ماسک
سرطان قلب کمردرد ناباروری روغن زیتون زیبایی بیماران خاص بیمه