مسیرهای مسی با low-k

برای سرعت بخشیدن به کار ترانزیستورها تنها بالا بردن سرعت آنها کافی نیست چون سیگنال های خروجی هر ترانزیستور باید هر چه سریعتر به مرحله بعدی پردازش برسد و مهمترین چیزی که در پردازنده های کنونی از بالا بردن بسامد جلوگیری می کند طولانی بودن زمان حرکت سیگنال روی مسیرهای انتقال است که Interconnects هم نامیده می شوند.
سرعت حرکت سیگنال روی مسیر انتقال از یک ترانزیستور به ترانزیستور دیگر در درجه نخست به دو عامل بستگی دارد که یکی مقاومت الکتریکی مسیر و دیگری بار الکتریکی القایی مزاحم است. این دو عامل هر چه کمتر باشند مسیر انتقال با سرعت بیشتری بارگذاری شده و سیگنال سالم تر و سریعتر به مرحله بعدی می رسد.
از همین رو، در Prescott نیز همچون Northwood و اتلون مسیرهای درون پردازنده کاملا از مس ساخته شده. مقاومت مس حدود ۴۰ درصد از آلومینیم که در هسته Willamette به کار رفته است کمتر است. نکته ای که تازگی دارد این است که هر هفت لایه هسته پردازنده در ماده ای با نام Low-k Material خوابانده شده است.
در دی اکسید سیلیسیوم که تاکنون به کار می رفته ثابت دی الکتریک K حدود ۴ است و ظرفیت بار الکتریکی مسیرها را بالا می برد.
در Northwood برای نخستین بار به کمک ترکیبات فلوئور ثابت K تا ۶/۳ پایین آمد. اکنون اینتل با نفوذ دادن کربن به دی اکسید سیلیسیوم K تا ۰/۳ کاهش داده این کار بارهای الکتریکی القایی را تا ۲۵ درصد پایین آورده و به همان نسبت سرعت حرکت سیگنال ها را بالا می برد.

منبع : شبکه فن اوری اطلاعات ایران